SIRA84DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIRA84DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 25 nC
Tiempo de subida (tr): 22 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 450 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0046 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIRA84DP
SIRA84DP Datasheet (PDF)
sira84dp.pdf
SiRA84DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 Tuned for reducing transient spikesD 7D 6 100 % Rg and UIS tested5 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?9991212 S3 S APPLICATIONS D4 S1 Synchronous buck convert
sira88dp.pdf
SiRA88DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 100 % Rg and UIS testedD 6 Material categorization: 5for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999121APPLICATIONS2 SD3 S DC/DC conversion4 S1G Battery protectionTop View Bottom V
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
