SIRA84DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SIRA84DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SIRA84DP
SIRA84DP Datasheet (PDF)
sira84dp.pdf

SiRA84DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 Tuned for reducing transient spikesD 7D 6 100 % Rg and UIS tested5 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?9991212 S3 S APPLICATIONS D4 S1 Synchronous buck convert
sira88dp.pdf

SiRA88DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 100 % Rg and UIS testedD 6 Material categorization: 5for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999121APPLICATIONS2 SD3 S DC/DC conversion4 S1G Battery protectionTop View Bottom V
Другие MOSFET... SIRA24DP , SIRA26DP , SIRA32DP , SIRA52DP , SIRA60DP , SIRA64DP , SIRA66DP , SIRA72DP , IRF1404 , SIRA88DP , SIRA96DP , SIS472BDN , SIS488DN , SISA01DN , SISA24DN , SISA66DN , SISA72DN .
History: SIRA72DP | NCE1512IA | LND06R062 | MTP3N100 | NTD60N02R | CM6N40C | STD5NM60T4
History: SIRA72DP | NCE1512IA | LND06R062 | MTP3N100 | NTD60N02R | CM6N40C | STD5NM60T4



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971