SIRA96DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIRA96DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
Carga de la puerta (Qg): 20.5 nC
Tiempo de subida (tr): 25 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 478 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0088 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
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SIRA96DP Datasheet (PDF)
sira96dp.pdf
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