SIRA96DP Todos los transistores

 

SIRA96DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIRA96DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 478 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SIRA96DP Datasheet (PDF)

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SIRA96DP

SiRA96DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 Tuned for reducing transient spikesD 7D 6 100 % Rg and UIS tested5 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?9991212 S3 S APPLICATIONS D4 S1 Synchronous buck convert

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History: SEFM350 | AP4569GH | GP2M004A065XG | IRFU4104 | 2SK1602 | BF1107 | AP6900GH-HF

 

 
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