SIRA96DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIRA96DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 478 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIRA96DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIRA96DP даташит

 ..1. Size:253K  vishay
 sira96dp.pdf pdf_icon

SIRA96DP

SiRA96DP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8 Single D TrenchFET Gen IV power MOSFET D 8 Tuned for reducing transient spikes D 7 D 6 100 % Rg and UIS tested 5 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 2 S 3 S APPLICATIONS D 4 S 1 Synchronous buck convert

Другие IGBT... SIRA32DP, SIRA52DP, SIRA60DP, SIRA64DP, SIRA66DP, SIRA72DP, SIRA84DP, SIRA88DP, IRFB4110, SIS472BDN, SIS488DN, SISA01DN, SISA24DN, SISA66DN, SISA72DN, SISA88DN, SISA96DN