Справочник MOSFET. SIRA96DP

 

SIRA96DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIRA96DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 478 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIRA96DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIRA96DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  vishay
 sira96dp.pdf pdf_icon

SIRA96DP

SiRA96DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 Tuned for reducing transient spikesD 7D 6 100 % Rg and UIS tested5 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?9991212 S3 S APPLICATIONS D4 S1 Synchronous buck convert

Другие MOSFET... SIRA32DP , SIRA52DP , SIRA60DP , SIRA64DP , SIRA66DP , SIRA72DP , SIRA84DP , SIRA88DP , IRF640N , SIS472BDN , SIS488DN , SISA01DN , SISA24DN , SISA66DN , SISA72DN , SISA88DN , SISA96DN .

History: IRLZ24NSPBF | SI2306DS | SIZ704DT

 

 
Back to Top

 


 
.