SIS488DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIS488DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
Búsqueda de reemplazo de SIS488DN MOSFET
SIS488DN Datasheet (PDF)
sis488dn.pdf

SiS488DNVishay SiliconixN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0055 at VGS = 10 V 40g Capable of Operating with 5 V Gate Drive40 9.8 nC0.0075 at VGS = 4.5 V 40g Material categorization:For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99
Otros transistores... SIRA60DP , SIRA64DP , SIRA66DP , SIRA72DP , SIRA84DP , SIRA88DP , SIRA96DP , SIS472BDN , 10N60 , SISA01DN , SISA24DN , SISA66DN , SISA72DN , SISA88DN , SISA96DN , SISB46DN , SISS27ADN .
History: RE1C001ZP | SUP90142E | NCEP1520 | NCEP030N30GU
History: RE1C001ZP | SUP90142E | NCEP1520 | NCEP030N30GU



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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