Справочник MOSFET. SIS488DN

 

SIS488DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS488DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
 

 Аналог (замена) для SIS488DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS488DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  vishay
 sis488dn.pdf pdf_icon

SIS488DN

SiS488DNVishay SiliconixN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0055 at VGS = 10 V 40g Capable of Operating with 5 V Gate Drive40 9.8 nC0.0075 at VGS = 4.5 V 40g Material categorization:For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99

Другие MOSFET... SIRA60DP , SIRA64DP , SIRA66DP , SIRA72DP , SIRA84DP , SIRA88DP , SIRA96DP , SIS472BDN , 10N60 , SISA01DN , SISA24DN , SISA66DN , SISA72DN , SISA88DN , SISA96DN , SISB46DN , SISS27ADN .

History: SUP90142E | NCEP1520 | NCEP030N30GU

 

 
Back to Top

 


 
.