SIS488DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIS488DN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

Аналог (замена) для SIS488DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS488DN даташит

 ..1. Size:558K  vishay
 sis488dn.pdf pdf_icon

SIS488DN

SiS488DN Vishay Siliconix N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0055 at VGS = 10 V 40g Capable of Operating with 5 V Gate Drive 40 9.8 nC 0.0075 at VGS = 4.5 V 40g Material categorization For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99

Другие IGBT... SIRA60DP, SIRA64DP, SIRA66DP, SIRA72DP, SIRA84DP, SIRA88DP, SIRA96DP, SIS472BDN, IRFP260N, SISA01DN, SISA24DN, SISA66DN, SISA72DN, SISA88DN, SISA96DN, SISB46DN, SISS27ADN