Справочник MOSFET. SIS488DN

 

SIS488DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS488DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS488DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  vishay
 sis488dn.pdf pdf_icon

SIS488DN

SiS488DNVishay SiliconixN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0055 at VGS = 10 V 40g Capable of Operating with 5 V Gate Drive40 9.8 nC0.0075 at VGS = 4.5 V 40g Material categorization:For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPB022N04LG | 2SK2531 | SW1N60C | STB12NM50-1 | UPA1770G | IPP60R280P6 | IXFH18N100Q3

 

 
Back to Top

 


 
.