SISA01DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SISA01DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1420 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
Búsqueda de reemplazo de SISA01DN MOSFET
SISA01DN Datasheet (PDF)
sisa01dn.pdf
SiSA01DNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8 SingleD TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFETD8D Provides exceptionally low RDS(ON) in a compact 7D6package that is thermally enhanced5 Enables higher power density 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance 11
sisa04dn.pdf
New ProductSiSA04DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.)Definition0.00215 at VGS = 10 V 40g TrenchFET Gen IV Power MOSFET30 22.5 nC0.0031 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 12
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