Справочник MOSFET. SISA01DN

 

SISA01DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SISA01DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SISA01DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  vishay
 sisa01dn.pdf pdf_icon

SISA01DN

SiSA01DNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8 SingleD TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFETD8D Provides exceptionally low RDS(ON) in a compact 7D6package that is thermally enhanced5 Enables higher power density 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance 11

 9.1. Size:577K  vishay
 sisa04dn.pdf pdf_icon

SISA01DN

New ProductSiSA04DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.)Definition0.00215 at VGS = 10 V 40g TrenchFET Gen IV Power MOSFET30 22.5 nC0.0031 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 12

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK2939S | AP2306CGN-HF | SI8812DB | APT41M80B2 | AM3400A | STF28NM60ND | AP4569GD

 

 
Back to Top

 


 
.