Справочник MOSFET. SISA01DN

 

SISA01DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SISA01DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
 

 Аналог (замена) для SISA01DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SISA01DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  vishay
 sisa01dn.pdf pdf_icon

SISA01DN

SiSA01DNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8 SingleD TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFETD8D Provides exceptionally low RDS(ON) in a compact 7D6package that is thermally enhanced5 Enables higher power density 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance 11

 9.1. Size:577K  vishay
 sisa04dn.pdf pdf_icon

SISA01DN

New ProductSiSA04DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.)Definition0.00215 at VGS = 10 V 40g TrenchFET Gen IV Power MOSFET30 22.5 nC0.0031 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 12

Другие MOSFET... SIRA64DP , SIRA66DP , SIRA72DP , SIRA84DP , SIRA88DP , SIRA96DP , SIS472BDN , SIS488DN , IRF3710 , SISA24DN , SISA66DN , SISA72DN , SISA88DN , SISA96DN , SISB46DN , SISS27ADN , SISS27DN .

History: FQP20N60 | TK7P60W | IRLZ44S | STB24N65M2 | MTE65N20H8 | FDN86265P | PHP36N06E

 

 
Back to Top

 


 
.