SISA88DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SISA88DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0067 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
Búsqueda de reemplazo de SISA88DN MOSFET
SISA88DN Datasheet (PDF)
sisa88dn.pdf

SiSA88DNwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD8D7 100 % Rg and UIS testedD65 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991211APPLICATIONS2DSS3S DC/DC conversion4S1G Battery protection
Otros transistores... SIRA88DP , SIRA96DP , SIS472BDN , SIS488DN , SISA01DN , SISA24DN , SISA66DN , SISA72DN , P55NF06 , SISA96DN , SISB46DN , SISS27ADN , SISS27DN , SISS98DN , SIUD402ED , SIUD403ED , SIUD412ED .
History: STD5N95K5 | SHD219701 | IRFP4310ZPBF | SRC65R052FB | IRF6217 | AOD603A | FTK2005DFN23
History: STD5N95K5 | SHD219701 | IRFP4310ZPBF | SRC65R052FB | IRF6217 | AOD603A | FTK2005DFN23



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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