SISA88DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SISA88DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0067 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-1212-8
Búsqueda de reemplazo de SISA88DN MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SISA88DN datasheet
sisa88dn.pdf
SiSA88DN www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8 Single D TrenchFET Gen IV power MOSFET D 8 D 7 100 % Rg and UIS tested D 6 5 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 APPLICATIONS 2 D S S 3 S DC/DC conversion 4 S 1 G Battery protection
Otros transistores... SIRA88DP, SIRA96DP, SIS472BDN, SIS488DN, SISA01DN, SISA24DN, SISA66DN, SISA72DN, AON6414A, SISA96DN, SISB46DN, SISS27ADN, SISS27DN, SISS98DN, SIUD402ED, SIUD403ED, SIUD412ED
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASDM40N60KQ | ASDM40N40E | ASDM40N100P | ASDM40DN20E | ASDM3416EZA | ASDM3415ZA | ASDM3401ZA | ASDM3401 | ASDM3400ZA | ASDM30P30BE | RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ
Popular searches
2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent
