Справочник MOSFET. SISA88DN

 

SISA88DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SISA88DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
 

 Аналог (замена) для SISA88DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SISA88DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  vishay
 sisa88dn.pdf pdf_icon

SISA88DN

SiSA88DNwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD8D7 100 % Rg and UIS testedD65 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991211APPLICATIONS2DSS3S DC/DC conversion4S1G Battery protection

Другие MOSFET... SIRA88DP , SIRA96DP , SIS472BDN , SIS488DN , SISA01DN , SISA24DN , SISA66DN , SISA72DN , IRFB4110 , SISA96DN , SISB46DN , SISS27ADN , SISS27DN , SISS98DN , SIUD402ED , SIUD403ED , SIUD412ED .

History: IRFHM792PBF | SRT08N100LD

 

 
Back to Top

 


 
.