SISA96DN Todos los transistores

 

SISA96DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SISA96DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 478 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
 

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SISA96DN Datasheet (PDF)

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SISA96DN

SiSA96DNwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD8D Tuned for reducing transient spikes7D6 100 % Rg and UIS tested5 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912112SS3APPLICATIONSS D4S1G Synchrono

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History: STB45NF06 | TMP4N80 | JMTL2302A | SIRA18ADP | SIRA60DP | NP60N03SUG

 

 
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