Справочник MOSFET. SISA96DN

 

SISA96DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SISA96DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 478 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SISA96DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  vishay
sisa96dn.pdfpdf_icon

SISA96DN

SiSA96DNwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD8D Tuned for reducing transient spikes7D6 100 % Rg and UIS tested5 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912112SS3APPLICATIONSS D4S1G Synchrono

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FTK4503 | SDF120JDA-D | FDPF8N50NZU | DG840 | IRLU3715 | KNB1906A | NCE65N900F

 

 
Back to Top

 


 
.