SIZ320DT Todos los transistores

 

SIZ320DT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIZ320DT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0083 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAIR3X3
 

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SIZ320DT Datasheet (PDF)

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SIZ320DT

SiZ320DTwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 25 V (D-S) MOSFETsFEATURESPowerPAIR 3 x 3G2S2 8 TrenchFET Gen IV power MOSFETsS2 7S2 6 100 % Rg and UIS tested5S1/D2 Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching(Pin 9)D1 characteristics1 Material categorization:2G13D1 for definitions of compliance please see114D1www.vishay.co

 9.1. Size:334K  vishay
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SIZ320DT

SiZ322DTwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAIR 3 x 3 TrenchFET Gen IV power MOSFETG2S2 8 High side and low side MOSFETs form optimizedS2 7combination for 50 % duty cycleS2 65 Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevatesS1/D2(Pin 9)efficiency for high frequency switchingD1 100 % Rg and UIS tested1

Otros transistores... SISA96DN , SISB46DN , SISS27ADN , SISS27DN , SISS98DN , SIUD402ED , SIUD403ED , SIUD412ED , 2N7000 , SIZ322DT , SIZ346DT , SIZ988DT , SIZF914DT , SQ1421EDH , SQ1440EH , SQ1912EH , SQ1922EEH .

History: NTP6413ANG | SI6423DQ

 

 
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