Справочник MOSFET. SIZ320DT

 

SIZ320DT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIZ320DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAIR3X3
 

 Аналог (замена) для SIZ320DT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIZ320DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  vishay
 siz320dt.pdf pdf_icon

SIZ320DT

SiZ320DTwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 25 V (D-S) MOSFETsFEATURESPowerPAIR 3 x 3G2S2 8 TrenchFET Gen IV power MOSFETsS2 7S2 6 100 % Rg and UIS tested5S1/D2 Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching(Pin 9)D1 characteristics1 Material categorization:2G13D1 for definitions of compliance please see114D1www.vishay.co

 9.1. Size:334K  vishay
 siz322dt.pdf pdf_icon

SIZ320DT

SiZ322DTwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAIR 3 x 3 TrenchFET Gen IV power MOSFETG2S2 8 High side and low side MOSFETs form optimizedS2 7combination for 50 % duty cycleS2 65 Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevatesS1/D2(Pin 9)efficiency for high frequency switchingD1 100 % Rg and UIS tested1

Другие MOSFET... SISA96DN , SISB46DN , SISS27ADN , SISS27DN , SISS98DN , SIUD402ED , SIUD403ED , SIUD412ED , 2N7000 , SIZ322DT , SIZ346DT , SIZ988DT , SIZF914DT , SQ1421EDH , SQ1440EH , SQ1912EH , SQ1922EEH .

History: NCE65T130 | IPI051N15N5 | VN66AD | IPG20N04S4L-08 | SFB087N80C2 | STB3NK60Z | RFD12N06RLES

 

 
Back to Top

 


 
.