SIZ322DT Todos los transistores

 

SIZ322DT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIZ322DT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00635 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAIR3X3
 

 Búsqueda de reemplazo de SIZ322DT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIZ322DT datasheet

 ..1. Size:334K  vishay
 siz322dt.pdf pdf_icon

SIZ322DT

 9.1. Size:362K  vishay
 siz320dt.pdf pdf_icon

SIZ322DT

SiZ320DT www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFETs FEATURES PowerPAIR 3 x 3 G2 S2 8 TrenchFET Gen IV power MOSFETs S2 7 S2 6 100 % Rg and UIS tested 5 S1/D2 Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching (Pin 9) D1 characteristics 1 Material categorization 2 G1 3 D1 for definitions of compliance please see 1 1 4 D1 www.vishay.co

Otros transistores... SISB46DN , SISS27ADN , SISS27DN , SISS98DN , SIUD402ED , SIUD403ED , SIUD412ED , SIZ320DT , 2SK3878 , SIZ346DT , SIZ988DT , SIZF914DT , SQ1421EDH , SQ1440EH , SQ1912EH , SQ1922EEH , SQ2319ADS .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.