SIZ322DT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIZ322DT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00635 Ohm
Тип корпуса: POWERPAIR3X3
SIZ322DT Datasheet (PDF)
siz322dt.pdf
SiZ322DTwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAIR 3 x 3 TrenchFET Gen IV power MOSFETG2S2 8 High side and low side MOSFETs form optimizedS2 7combination for 50 % duty cycleS2 65 Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevatesS1/D2(Pin 9)efficiency for high frequency switchingD1 100 % Rg and UIS tested1
siz320dt.pdf
SiZ320DTwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 25 V (D-S) MOSFETsFEATURESPowerPAIR 3 x 3G2S2 8 TrenchFET Gen IV power MOSFETsS2 7S2 6 100 % Rg and UIS tested5S1/D2 Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching(Pin 9)D1 characteristics1 Material categorization:2G13D1 for definitions of compliance please see114D1www.vishay.co
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918