SIZ322DT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIZ322DT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00635 Ohm

Тип корпуса: POWERPAIR3X3

Аналог (замена) для SIZ322DT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIZ322DT даташит

 ..1. Size:334K  vishay
 siz322dt.pdf pdf_icon

SIZ322DT

 9.1. Size:362K  vishay
 siz320dt.pdf pdf_icon

SIZ322DT

SiZ320DT www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFETs FEATURES PowerPAIR 3 x 3 G2 S2 8 TrenchFET Gen IV power MOSFETs S2 7 S2 6 100 % Rg and UIS tested 5 S1/D2 Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching (Pin 9) D1 characteristics 1 Material categorization 2 G1 3 D1 for definitions of compliance please see 1 1 4 D1 www.vishay.co

Другие IGBT... SISB46DN, SISS27ADN, SISS27DN, SISS98DN, SIUD402ED, SIUD403ED, SIUD412ED, SIZ320DT, 2SK3878, SIZ346DT, SIZ988DT, SIZF914DT, SQ1421EDH, SQ1440EH, SQ1912EH, SQ1922EEH, SQ2319ADS