SIZ988DT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIZ988DT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: POWERPAIR6X5

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SIZ988DT datasheet

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SIZ988DT

SiZ988DT www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( ) (MAX.) ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.0075 at VGS = 10 V 40 g Channel-1 30 6.9 nC Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching 0.0120 at VGS = 4.5 V 32 g characteristics 0.0041 at VGS = 10 V 60 Channel-2 3

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