SIZ988DT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIZ988DT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAIR6X5
Búsqueda de reemplazo de SIZ988DT MOSFET
SIZ988DT Datasheet (PDF)
siz988dt.pdf

SiZ988DTwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () (MAX.) ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0075 at VGS = 10 V 40 gChannel-1 30 6.9 nC Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching0.0120 at VGS = 4.5 V 32 gcharacteristics0.0041 at VGS = 10 V 60Channel-2 3
Otros transistores... SISS27DN , SISS98DN , SIUD402ED , SIUD403ED , SIUD412ED , SIZ320DT , SIZ322DT , SIZ346DT , K4145 , SIZF914DT , SQ1421EDH , SQ1440EH , SQ1912EH , SQ1922EEH , SQ2319ADS , SQ2361AEES , SQ3418AEEV .
History: IPD65R1K5CE | KNF4540A | HCD70R910 | NCE20P45Q | IRLML6401TRPBF | SI4N60L-TN3-T | SRM4N60U
History: IPD65R1K5CE | KNF4540A | HCD70R910 | NCE20P45Q | IRLML6401TRPBF | SI4N60L-TN3-T | SRM4N60U



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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