SIZ988DT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIZ988DT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: POWERPAIR6X5

Аналог (замена) для SIZ988DT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIZ988DT даташит

 ..1. Size:230K  vishay
 siz988dt.pdf pdf_icon

SIZ988DT

SiZ988DT www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( ) (MAX.) ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.0075 at VGS = 10 V 40 g Channel-1 30 6.9 nC Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching 0.0120 at VGS = 4.5 V 32 g characteristics 0.0041 at VGS = 10 V 60 Channel-2 3

Другие IGBT... SISS27DN, SISS98DN, SIUD402ED, SIUD403ED, SIUD412ED, SIZ320DT, SIZ322DT, SIZ346DT, 2N7002, SIZF914DT, SQ1421EDH, SQ1440EH, SQ1912EH, SQ1922EEH, SQ2319ADS, SQ2361AEES, SQ3418AEEV