Справочник MOSFET. SIZ988DT

 

SIZ988DT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIZ988DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAIR6X5
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIZ988DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  vishay
 siz988dt.pdf pdf_icon

SIZ988DT

SiZ988DTwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () (MAX.) ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0075 at VGS = 10 V 40 gChannel-1 30 6.9 nC Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching0.0120 at VGS = 4.5 V 32 gcharacteristics0.0041 at VGS = 10 V 60Channel-2 3

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.