Справочник MOSFET. SIZ988DT

 

SIZ988DT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIZ988DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 14.3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAIR6X5
 

 Аналог (замена) для SIZ988DT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIZ988DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  vishay
 siz988dt.pdf pdf_icon

SIZ988DT

SiZ988DTwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () (MAX.) ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0075 at VGS = 10 V 40 gChannel-1 30 6.9 nC Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching0.0120 at VGS = 4.5 V 32 gcharacteristics0.0041 at VGS = 10 V 60Channel-2 3

Другие MOSFET... SISS27DN , SISS98DN , SIUD402ED , SIUD403ED , SIUD412ED , SIZ320DT , SIZ322DT , SIZ346DT , K4145 , SIZF914DT , SQ1421EDH , SQ1440EH , SQ1912EH , SQ1922EEH , SQ2319ADS , SQ2361AEES , SQ3418AEEV .

History: NDT5N70P | HRP35N04K | HRS85N08K | IRF7304QPBF | WMS048NV6LG4 | NTTFS030N06C | IRF7342QPBF

 

 
Back to Top

 


 
.