SIZF914DT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIZF914DT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAIR6X5F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIZF914DT

SIZF914DT Datasheet (PDF)

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sizf914dt.pdf

SiZF914DTwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 25 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES TrenchFET Gen IV power MOSFET SkyFET low side MOSFET with integrated Schottky G1 return/S1 pin for enhancing high side driving 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912VIN/D1APPLIC

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