SIZF914DT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIZF914DT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm

Encapsulados: POWERPAIR6X5F

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SIZF914DT datasheet

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SIZF914DT

SiZF914DT www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES TrenchFET Gen IV power MOSFET SkyFET low side MOSFET with integrated Schottky G1 return/S1 pin for enhancing high side driving 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 VIN/D1 APPLIC

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