Справочник MOSFET. SIZF914DT

 

SIZF914DT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIZF914DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAIR6X5F
 

 Аналог (замена) для SIZF914DT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIZF914DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  vishay
 sizf914dt.pdf pdf_icon

SIZF914DT

SiZF914DTwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 25 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES TrenchFET Gen IV power MOSFET SkyFET low side MOSFET with integrated Schottky G1 return/S1 pin for enhancing high side driving 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912VIN/D1APPLIC

Другие MOSFET... SISS98DN , SIUD402ED , SIUD403ED , SIUD412ED , SIZ320DT , SIZ322DT , SIZ346DT , SIZ988DT , IRF1010E , SQ1421EDH , SQ1440EH , SQ1912EH , SQ1922EEH , SQ2319ADS , SQ2361AEES , SQ3418AEEV , SQ3419AEEV .

History: OSG55R092HF | PSA10N70 | DG4N60 | PSMN6R0-30YLD | 2SK3018LT1 | FHP7N65G | WMK03N80M3

 

 
Back to Top

 


 
.