Справочник MOSFET. SIZF914DT

 

SIZF914DT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIZF914DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAIR6X5F

 Аналог (замена) для SIZF914DT

 

 

SIZF914DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  vishay
 sizf914dt.pdf

SIZF914DT SIZF914DT

SiZF914DTwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 25 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES TrenchFET Gen IV power MOSFET SkyFET low side MOSFET with integrated Schottky G1 return/S1 pin for enhancing high side driving 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912VIN/D1APPLIC

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top