SIZF914DT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIZF914DT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: POWERPAIR6X5F

Аналог (замена) для SIZF914DT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIZF914DT даташит

 ..1. Size:325K  vishay
 sizf914dt.pdf pdf_icon

SIZF914DT

SiZF914DT www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES TrenchFET Gen IV power MOSFET SkyFET low side MOSFET with integrated Schottky G1 return/S1 pin for enhancing high side driving 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 VIN/D1 APPLIC

Другие IGBT... SISS98DN, SIUD402ED, SIUD403ED, SIUD412ED, SIZ320DT, SIZ322DT, SIZ346DT, SIZ988DT, IRF9540N, SQ1421EDH, SQ1440EH, SQ1912EH, SQ1922EEH, SQ2319ADS, SQ2361AEES, SQ3418AEEV, SQ3419AEEV