SQ1440EH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQ1440EH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3.3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1.7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 4.4 nC
   Tiempo de subida (tr): 23 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 34 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363 SC-70-6

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SQ1440EH Datasheet (PDF)

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sq1440eh.pdf

SQ1440EHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.120 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.150 Material categorization:ID (A) 1.7for definitions of compliance please see Configuration Single

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