SQ1440EH Todos los transistores

 

SQ1440EH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQ1440EH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363 SC-70-6
     - Selección de transistores por parámetros

 

SQ1440EH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  vishay
 sq1440eh.pdf pdf_icon

SQ1440EH

SQ1440EHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.120 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.150 Material categorization:ID (A) 1.7for definitions of compliance please see Configuration Single

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History: FCH20N60 | IPB60R190C6 | VBZE50P03 | NCE65N260F

 

 
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