Справочник MOSFET. SQ1440EH

 

SQ1440EH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ1440EH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363 SC-70-6
 

 Аналог (замена) для SQ1440EH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ1440EH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  vishay
 sq1440eh.pdf pdf_icon

SQ1440EH

SQ1440EHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.120 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.150 Material categorization:ID (A) 1.7for definitions of compliance please see Configuration Single

Другие MOSFET... SIUD403ED , SIUD412ED , SIZ320DT , SIZ322DT , SIZ346DT , SIZ988DT , SIZF914DT , SQ1421EDH , 5N60 , SQ1912EH , SQ1922EEH , SQ2319ADS , SQ2361AEES , SQ3418AEEV , SQ3419AEEV , SQ3425EV , SQ3426AEEV .

History: APT30M17JLL | HSP18N20 | IRF730PBF | FCH190N65F | PNM3FD201E0 | NTND31225CZ

 

 
Back to Top

 


 
.