SQ1440EH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQ1440EH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOT-363 SC-70-6

Аналог (замена) для SQ1440EH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ1440EH даташит

 ..1. Size:190K  vishay
sq1440eh.pdfpdf_icon

SQ1440EH

SQ1440EH www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.120 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.150 Material categorization ID (A) 1.7 for definitions of compliance please see Configuration Single

Другие IGBT... SIUD403ED, SIUD412ED, SIZ320DT, SIZ322DT, SIZ346DT, SIZ988DT, SIZF914DT, SQ1421EDH, IRLB4132, SQ1912EH, SQ1922EEH, SQ2319ADS, SQ2361AEES, SQ3418AEEV, SQ3419AEEV, SQ3425EV, SQ3426AEEV