SQ1922EEH Todos los transistores

 

SQ1922EEH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQ1922EEH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.84 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363 SC-70-6
 

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SQ1922EEH Datasheet (PDF)

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SQ1922EEH

SQ1922EEHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESSOT-363 TrenchFET power MOSFETSC-70 Dual (6 leads)S2 AEC-Q101 qualified4G2 100 % Rg tested5D1 Typical ESD protection: 800 V6 Material categorization: for definitions of compliance please see 3www.vishay.com/doc?99912D22G1D1 D21S1

Otros transistores... SIZ320DT , SIZ322DT , SIZ346DT , SIZ988DT , SIZF914DT , SQ1421EDH , SQ1440EH , SQ1912EH , SPP20N60C3 , SQ2319ADS , SQ2361AEES , SQ3418AEEV , SQ3419AEEV , SQ3425EV , SQ3426AEEV , SQ3427AEEV , SQ3461EV .

History: SKI06048 | AOC2800 | SQJ964EP | CJCD2005 | HM2305D | FTK2312 | FTK2341E

 

 
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