SQ1922EEH Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ1922EEH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.84 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: SOT-363 SC-70-6

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SQ1922EEH datasheet

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SQ1922EEH

SQ1922EEH www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES SOT-363 TrenchFET power MOSFET SC-70 Dual (6 leads) S2 AEC-Q101 qualified 4 G2 100 % Rg tested 5 D1 Typical ESD protection 800 V 6 Material categorization for definitions of compliance please see 3 www.vishay.com/doc?99912 D2 2 G1 D1 D2 1 S1

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