SQ1922EEH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQ1922EEH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.84 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363 SC-70-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQ1922EEH

SQ1922EEH Datasheet (PDF)

..1. Size:206K vishay
sq1922eeh.pdf

SQ1922EEHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESSOT-363 TrenchFET power MOSFETSC-70 Dual (6 leads)S2 AEC-Q101 qualified4G2 100 % Rg tested5D1 Typical ESD protection: 800 V6 Material categorization: for definitions of compliance please see 3www.vishay.com/doc?99912D22G1D1 D21S1

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: