SQ1922EEH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQ1922EEH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.84 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: SOT-363 SC-70-6

Аналог (замена) для SQ1922EEH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ1922EEH даташит

 ..1. Size:206K  vishay
 sq1922eeh.pdf pdf_icon

SQ1922EEH

SQ1922EEH www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES SOT-363 TrenchFET power MOSFET SC-70 Dual (6 leads) S2 AEC-Q101 qualified 4 G2 100 % Rg tested 5 D1 Typical ESD protection 800 V 6 Material categorization for definitions of compliance please see 3 www.vishay.com/doc?99912 D2 2 G1 D1 D2 1 S1

Другие IGBT... SIZ320DT, SIZ322DT, SIZ346DT, SIZ988DT, SIZF914DT, SQ1421EDH, SQ1440EH, SQ1912EH, K3569, SQ2319ADS, SQ2361AEES, SQ3418AEEV, SQ3419AEEV, SQ3425EV, SQ3426AEEV, SQ3427AEEV, SQ3461EV