Справочник MOSFET. SQ1922EEH

 

SQ1922EEH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ1922EEH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.84 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363 SC-70-6
 

 Аналог (замена) для SQ1922EEH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ1922EEH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  vishay
 sq1922eeh.pdf pdf_icon

SQ1922EEH

SQ1922EEHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESSOT-363 TrenchFET power MOSFETSC-70 Dual (6 leads)S2 AEC-Q101 qualified4G2 100 % Rg tested5D1 Typical ESD protection: 800 V6 Material categorization: for definitions of compliance please see 3www.vishay.com/doc?99912D22G1D1 D21S1

Другие MOSFET... SIZ320DT , SIZ322DT , SIZ346DT , SIZ988DT , SIZF914DT , SQ1421EDH , SQ1440EH , SQ1912EH , SPP20N60C3 , SQ2319ADS , SQ2361AEES , SQ3418AEEV , SQ3419AEEV , SQ3425EV , SQ3426AEEV , SQ3427AEEV , SQ3461EV .

History: SQ3461EV | IXFK64N50P | STP3NK50Z | NCEP12T10F | LNF10N65 | HCFL60R115 | FCP600N65S3R0

 

 
Back to Top

 


 
.