SQ3585EV Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ3585EV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.57 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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SQ3585EV datasheet

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SQ3585EV

SQ3585EV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES TSOP-6 Dual TrenchFET power MOSFET D2 4 AEC-Q101 qualified S1 5 100 % Rg and UIS tested D1 6 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 3 G2 2 D1 S2 S2 1 G1 Top View G2 PRODUCT SUMMARY G1 N-CHANNEL P-CHA

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