SQ3585EV - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQ3585EV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.57 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
Аналог (замена) для SQ3585EV
SQ3585EV Datasheet (PDF)
sq3585ev.pdf

SQ3585EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESTSOP-6 Dual TrenchFET power MOSFETD24 AEC-Q101 qualifiedS15 100 % Rg and UIS testedD16 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999123G22D1 S2S21G1Top ViewG2PRODUCT SUMMARYG1N-CHANNEL P-CHA
Другие MOSFET... SQ2319ADS , SQ2361AEES , SQ3418AEEV , SQ3419AEEV , SQ3425EV , SQ3426AEEV , SQ3427AEEV , SQ3461EV , 4435 , SQ3987EV , SQ3989EV , SQ4005EY , SQ4940AEY , SQ7414CENW , SQA401EJ , SQD40081EL , SQJ148EP .
History: ZXMN3B01FTA | HM4615
History: ZXMN3B01FTA | HM4615



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140