Справочник MOSFET. SQ3585EV

 

SQ3585EV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ3585EV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.57 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SQ3585EV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ3585EV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  vishay
 sq3585ev.pdf pdf_icon

SQ3585EV

SQ3585EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESTSOP-6 Dual TrenchFET power MOSFETD24 AEC-Q101 qualifiedS15 100 % Rg and UIS testedD16 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999123G22D1 S2S21G1Top ViewG2PRODUCT SUMMARYG1N-CHANNEL P-CHA

Другие MOSFET... SQ2319ADS , SQ2361AEES , SQ3418AEEV , SQ3419AEEV , SQ3425EV , SQ3426AEEV , SQ3427AEEV , SQ3461EV , 4435 , SQ3987EV , SQ3989EV , SQ4005EY , SQ4940AEY , SQ7414CENW , SQA401EJ , SQD40081EL , SQJ148EP .

History: CS6N60A7H | KIA4N65H-220 | FHP8N60C | IPD110N12N3 | UPA2723UT1A | IPD85P04P4L-06 | TPA120R800A

 

 
Back to Top

 


 
.