SQ3585EV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQ3585EV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.57 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для SQ3585EV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ3585EV даташит

 ..1. Size:263K  vishay
 sq3585ev.pdf pdf_icon

SQ3585EV

SQ3585EV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES TSOP-6 Dual TrenchFET power MOSFET D2 4 AEC-Q101 qualified S1 5 100 % Rg and UIS tested D1 6 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 3 G2 2 D1 S2 S2 1 G1 Top View G2 PRODUCT SUMMARY G1 N-CHANNEL P-CHA

Другие IGBT... SQ2319ADS, SQ2361AEES, SQ3418AEEV, SQ3419AEEV, SQ3425EV, SQ3426AEEV, SQ3427AEEV, SQ3461EV, 5N65, SQ3987EV, SQ3989EV, SQ4005EY, SQ4940AEY, SQ7414CENW, SQA401EJ, SQD40081EL, SQJ148EP