Справочник MOSFET. SQ3585EV

 

SQ3585EV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQ3585EV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.67 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.57 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 1.8 nC
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.077 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для SQ3585EV

 

 

SQ3585EV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  vishay
 sq3585ev.pdf

SQ3585EV SQ3585EV

SQ3585EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESTSOP-6 Dual TrenchFET power MOSFETD24 AEC-Q101 qualifiedS15 100 % Rg and UIS testedD16 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999123G22D1 S2S21G1Top ViewG2PRODUCT SUMMARYG1N-CHANNEL P-CHA

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SI3469DV

 

 
Back to Top