Справочник MOSFET. SQ3585EV

 

SQ3585EV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQ3585EV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.57 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для SQ3585EV

 

 

SQ3585EV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  vishay
 sq3585ev.pdf

SQ3585EV SQ3585EV

SQ3585EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESTSOP-6 Dual TrenchFET power MOSFETD24 AEC-Q101 qualifiedS15 100 % Rg and UIS testedD16 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999123G22D1 S2S21G1Top ViewG2PRODUCT SUMMARYG1N-CHANNEL P-CHA

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top