Справочник MOSFET. SQ3585EV

 

SQ3585EV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ3585EV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.57 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ3585EV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  vishay
 sq3585ev.pdf pdf_icon

SQ3585EV

SQ3585EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESTSOP-6 Dual TrenchFET power MOSFETD24 AEC-Q101 qualifiedS15 100 % Rg and UIS testedD16 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999123G22D1 S2S21G1Top ViewG2PRODUCT SUMMARYG1N-CHANNEL P-CHA

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: VS4610AZ | SQJ460AEP | TP0101TS-T1 | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.