SQJ262EP Todos los transistores

 

SQJ262EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQJ262EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 212 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0355 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SQJ262EP Datasheet (PDF)

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SQJ262EP

SQJ262EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESSPowerPAK SO-8L Dual Asymmetric TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Optimized for synchronous buck applicationsD2 Material categorization: 1for definitions of compliance please seeS12www.vishay.com/doc?99912G1

 9.1. Size:411K  vishay
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SQJ262EP

SQJ260EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESSPowerPAK SO-8L Dual Asymmetric TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Optimized for synchronous buck applicationsD2 Material categorization: 1for definitions of compliance please seeS12www.vishay.com/doc?99912G13

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History: SFB072N150C2 | WMJ18N50D1B | RJK0223DNS | HSP4024A | PV563BA | IRC740PBF | SI2309CDS-T1-GE3

 

 
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