SQJ262EP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQJ262EP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6.5 nC
Время нарастания (tr): 3 ns
Выходная емкость (Cd): 212 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0355 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SQJ262EP Datasheet (PDF)
sqj262ep.pdf
SQJ262EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESSPowerPAK SO-8L Dual Asymmetric TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Optimized for synchronous buck applicationsD2 Material categorization: 1for definitions of compliance please seeS12www.vishay.com/doc?99912G1
sqj260ep.pdf
SQJ260EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESSPowerPAK SO-8L Dual Asymmetric TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Optimized for synchronous buck applicationsD2 Material categorization: 1for definitions of compliance please seeS12www.vishay.com/doc?99912G13
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
