SQJ262EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJ262EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 212 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0355 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQJ262EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ262EP даташит

 ..1. Size:382K  vishay
 sqj262ep.pdf pdf_icon

SQJ262EP

SQJ262EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETs FEATURESS PowerPAK SO-8L Dual Asymmetric TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified D1 100 % Rg and UIS tested Optimized for synchronous buck applications D2 Material categorization 1 for definitions of compliance please see S1 2 www.vishay.com/doc?99912 G1

 9.1. Size:411K  vishay
 sqj260ep.pdf pdf_icon

SQJ262EP

SQJ260EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETs FEATURESS PowerPAK SO-8L Dual Asymmetric TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified D1 100 % Rg and UIS tested Optimized for synchronous buck applications D2 Material categorization 1 for definitions of compliance please see S1 2 www.vishay.com/doc?99912 G1 3

Другие IGBT... SQ7414CENW, SQA401EJ, SQD40081EL, SQJ148EP, SQJ158EP, SQJ200EP, SQJ202EP, SQJ260EP, 4N60, SQJ407EP, SQJ409EP, SQJ414EP, SQJ416EP, SQJ418EP, SQJ420EP, SQJ433EP, SQJ446EP