SQJ433EP Todos los transistores

 

SQJ433EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQJ433EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 72 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 775 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0081 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SQJ433EP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SQJ433EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  vishay
 sqj433ep.pdf pdf_icon

SQJ433EP

SQJ433EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -30 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0081 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0170 Material categorization: ID (A) -75for definitions of compliance please see Configuration Single

 9.1. Size:155K  vishay
 sqj431ep.pdf pdf_icon

SQJ433EP

SQJ431EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 200DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.213 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 6 V 0.221 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 12 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Complian

Otros transistores... SQJ260EP , SQJ262EP , SQJ407EP , SQJ409EP , SQJ414EP , SQJ416EP , SQJ418EP , SQJ420EP , IRFZ46N , SQJ446EP , SQJ454EP , SQJ457EP , SQJ464EP , SQJ474EP , SQJ476EP , SQJ479EP , SQJ570EP .

History: 5N65AF

 

 
Back to Top

 


 
.