SQJ433EP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQJ433EP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 775 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0081 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SQJ433EP datasheet

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SQJ433EP

SQJ433EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -30 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.0081 AEC-Q101 qualified c RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.0170 Material categorization ID (A) -75 for definitions of compliance please see Configuration Single

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SQJ433EP

SQJ431EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 200 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.213 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 6 V 0.221 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 12 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Complian

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