Справочник MOSFET. SQJ433EP

 

SQJ433EP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQJ433EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 775 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SQJ433EP

 

 

SQJ433EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  vishay
 sqj433ep.pdf

SQJ433EP SQJ433EP

SQJ433EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -30 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0081 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0170 Material categorization: ID (A) -75for definitions of compliance please see Configuration Single

 9.1. Size:155K  vishay
 sqj431ep.pdf

SQJ433EP SQJ433EP

SQJ431EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 200DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.213 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 6 V 0.221 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 12 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Complian

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HMS7N70K | HMS11N60I

 

 
Back to Top