Справочник MOSFET. SQJ433EP

 

SQJ433EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ433EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 775 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQJ433EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ433EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  vishay
 sqj433ep.pdf pdf_icon

SQJ433EP

SQJ433EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -30 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0081 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0170 Material categorization: ID (A) -75for definitions of compliance please see Configuration Single

 9.1. Size:155K  vishay
 sqj431ep.pdf pdf_icon

SQJ433EP

SQJ431EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 200DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.213 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 6 V 0.221 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 12 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Complian

Другие MOSFET... SQJ260EP , SQJ262EP , SQJ407EP , SQJ409EP , SQJ414EP , SQJ416EP , SQJ418EP , SQJ420EP , IRFZ46N , SQJ446EP , SQJ454EP , SQJ457EP , SQJ464EP , SQJ474EP , SQJ476EP , SQJ479EP , SQJ570EP .

History: BSO220N03MD | LSD60R380HT | HCU60R260 | HM2319 | PTA15N50

 

 
Back to Top

 


 
.