SQJ433EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJ433EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 775 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQJ433EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ433EP даташит

 ..1. Size:214K  vishay
 sqj433ep.pdf pdf_icon

SQJ433EP

SQJ433EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -30 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.0081 AEC-Q101 qualified c RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.0170 Material categorization ID (A) -75 for definitions of compliance please see Configuration Single

 9.1. Size:155K  vishay
 sqj431ep.pdf pdf_icon

SQJ433EP

SQJ431EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 200 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.213 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 6 V 0.221 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 12 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Complian

Другие IGBT... SQJ260EP, SQJ262EP, SQJ407EP, SQJ409EP, SQJ414EP, SQJ416EP, SQJ418EP, SQJ420EP, SI2302, SQJ446EP, SQJ454EP, SQJ457EP, SQJ464EP, SQJ474EP, SQJ476EP, SQJ479EP, SQJ570EP