SQJ446EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQJ446EP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 48 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQJ446EP
SQJ446EP Datasheet (PDF)
sqj446ep.pdf
SQJ446EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0050 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0075 Material categorization: ID (A) 60for definitions of compliance please see Configuration Singlewww
sqj443ep.pdf
SQJ443EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 40DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.029 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.047 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 40 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant t
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Liste
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