SQJ446EP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQJ446EP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SQJ446EP datasheet

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SQJ446EP

SQJ446EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 qualified c RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0050 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0075 Material categorization ID (A) 60 for definitions of compliance please see Configuration Single www

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SQJ446EP

SQJ443EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 40 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.029 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.047 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 40 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant t

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