SQJ446EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJ446EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQJ446EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ446EP даташит

 ..1. Size:217K  vishay
 sqj446ep.pdf pdf_icon

SQJ446EP

SQJ446EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 qualified c RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0050 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0075 Material categorization ID (A) 60 for definitions of compliance please see Configuration Single www

 9.1. Size:173K  vishay
 sqj443ep.pdf pdf_icon

SQJ446EP

SQJ443EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 40 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.029 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.047 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 40 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant t

Другие IGBT... SQJ262EP, SQJ407EP, SQJ409EP, SQJ414EP, SQJ416EP, SQJ418EP, SQJ420EP, SQJ433EP, AO3407, SQJ454EP, SQJ457EP, SQJ464EP, SQJ474EP, SQJ476EP, SQJ479EP, SQJ570EP, SQJ860EP