Справочник MOSFET. SQJ446EP

 

SQJ446EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ446EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQJ446EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ446EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  vishay
 sqj446ep.pdf pdf_icon

SQJ446EP

SQJ446EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0050 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0075 Material categorization: ID (A) 60for definitions of compliance please see Configuration Singlewww

 9.1. Size:173K  vishay
 sqj443ep.pdf pdf_icon

SQJ446EP

SQJ443EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 40DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.029 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.047 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 40 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant t

Другие MOSFET... SQJ262EP , SQJ407EP , SQJ409EP , SQJ414EP , SQJ416EP , SQJ418EP , SQJ420EP , SQJ433EP , 7N60 , SQJ454EP , SQJ457EP , SQJ464EP , SQJ474EP , SQJ476EP , SQJ479EP , SQJ570EP , SQJ860EP .

 

 
Back to Top

 


 
.