SQJ570EP Todos los transistores

 

SQJ570EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQJ570EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SQJ570EP Datasheet (PDF)

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SQJ570EP

SQJ570EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N- and P-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNEL AEC-Q101 qualifiedVDS (V) 100 -100 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0450 0.1460 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0580 0.2065for definitions of compli

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History: IXFV22N50PS | IRFS9643 | SM6A08NSFP | AP02N60I | AFN3406AS | PMZ290UNE | AP2762R-A

 

 
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