Справочник MOSFET. SQJ570EP

 

SQJ570EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ570EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQJ570EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ570EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:347K  vishay
 sqj570ep.pdf pdf_icon

SQJ570EP

SQJ570EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N- and P-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNEL AEC-Q101 qualifiedVDS (V) 100 -100 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0450 0.1460 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0580 0.2065for definitions of compli

Другие MOSFET... SQJ433EP , SQJ446EP , SQJ454EP , SQJ457EP , SQJ464EP , SQJ474EP , SQJ476EP , SQJ479EP , IRF830 , SQJ860EP , SQJ868EP , SQJ912BEP , SQJ914EP , SQJ946EP , SQJ956EP , SQJ958EP , SQJ990EP .

History: CEP13N5A | SLP5N60C | 2SK2339 | PDM6UT20V08E

 

 
Back to Top

 


 
.