SQJ570EP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQJ570EP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SQJ570EP
SQJ570EP Datasheet (PDF)
sqj570ep.pdf

SQJ570EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N- and P-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNEL AEC-Q101 qualifiedVDS (V) 100 -100 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0450 0.1460 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0580 0.2065for definitions of compli
Другие MOSFET... SQJ433EP , SQJ446EP , SQJ454EP , SQJ457EP , SQJ464EP , SQJ474EP , SQJ476EP , SQJ479EP , IRF830 , SQJ860EP , SQJ868EP , SQJ912BEP , SQJ914EP , SQJ946EP , SQJ956EP , SQJ958EP , SQJ990EP .
History: SWN5N70K | STF21NM60N | 2SK539 | FMP06N60ES | 2SK3456 | SVS60R190TD4
History: SWN5N70K | STF21NM60N | 2SK539 | FMP06N60ES | 2SK3456 | SVS60R190TD4



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent