SQJ570EP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQJ570EP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9 nC
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 260 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SQJ570EP Datasheet (PDF)
..1. Size:347K vishay
sqj570ep.pdf
sqj570ep.pdf
SQJ570EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N- and P-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNEL AEC-Q101 qualifiedVDS (V) 100 -100 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0450 0.1460 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0580 0.2065for definitions of compli
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
