SQJ570EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJ570EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQJ570EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ570EP даташит

 ..1. Size:347K  vishay
 sqj570ep.pdf pdf_icon

SQJ570EP

SQJ570EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N- and P-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL AEC-Q101 qualified VDS (V) 100 -100 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0450 0.1460 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0580 0.2065 for definitions of compli

Другие IGBT... SQJ433EP, SQJ446EP, SQJ454EP, SQJ457EP, SQJ464EP, SQJ474EP, SQJ476EP, SQJ479EP, 2N60, SQJ860EP, SQJ868EP, SQJ912BEP, SQJ914EP, SQJ946EP, SQJ956EP, SQJ958EP, SQJ990EP