SQJ860EP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQJ860EP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de SQJ860EP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SQJ860EP datasheet

 ..1. Size:264K  vishay
 sqj860ep.pdf pdf_icon

SQJ860EP

SQJ860EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested D Material categorization for definitions of compliance please see 1 S www.vishay.com/doc?99912 2 S 3 S 4 D 1 G Top View Bottom View PRODUCT SUMMARY VDS (V) 40 G

 9.1. Size:218K  vishay
 sqj868ep.pdf pdf_icon

SQJ860EP

SQJ868EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested D Material categorization for definitions of compliance please see 1 www.vishay.com/doc?99912 S 2 S 3 D S 4 1 G Top View Bottom View G PRODUCT SUMMARY VDS (V) 40 N-

Otros transistores... SQJ446EP, SQJ454EP, SQJ457EP, SQJ464EP, SQJ474EP, SQJ476EP, SQJ479EP, SQJ570EP, 8N60, SQJ868EP, SQJ912BEP, SQJ914EP, SQJ946EP, SQJ956EP, SQJ958EP, SQJ990EP, SQJA00EP