SQJ860EP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQJ860EP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SQJ860EP
SQJ860EP Datasheet (PDF)
sqj860ep.pdf

SQJ860EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization: for definitions of compliance please see 1Swww.vishay.com/doc?999122S3S4D1 GTop View Bottom ViewPRODUCT SUMMARYVDS (V) 40G
sqj868ep.pdf

SQJ868EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization: for definitions of compliance please see1www.vishay.com/doc?99912S2S3DS41 GTop View Bottom View GPRODUCT SUMMARYVDS (V) 40N-
Другие MOSFET... SQJ446EP , SQJ454EP , SQJ457EP , SQJ464EP , SQJ474EP , SQJ476EP , SQJ479EP , SQJ570EP , K2611 , SQJ868EP , SQJ912BEP , SQJ914EP , SQJ946EP , SQJ956EP , SQJ958EP , SQJ990EP , SQJA00EP .
History: 2SK2095N | HGB042N10A | ZXMN3B04N8 | HGB040N06SL | HM4454 | IXTP32N65X | CJL2016
History: 2SK2095N | HGB042N10A | ZXMN3B04N8 | HGB040N06SL | HM4454 | IXTP32N65X | CJL2016



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073