SQJ860EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJ860EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQJ860EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ860EP даташит

 ..1. Size:264K  vishay
 sqj860ep.pdf pdf_icon

SQJ860EP

SQJ860EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested D Material categorization for definitions of compliance please see 1 S www.vishay.com/doc?99912 2 S 3 S 4 D 1 G Top View Bottom View PRODUCT SUMMARY VDS (V) 40 G

 9.1. Size:218K  vishay
 sqj868ep.pdf pdf_icon

SQJ860EP

SQJ868EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested D Material categorization for definitions of compliance please see 1 www.vishay.com/doc?99912 S 2 S 3 D S 4 1 G Top View Bottom View G PRODUCT SUMMARY VDS (V) 40 N-

Другие IGBT... SQJ446EP, SQJ454EP, SQJ457EP, SQJ464EP, SQJ474EP, SQJ476EP, SQJ479EP, SQJ570EP, 8N60, SQJ868EP, SQJ912BEP, SQJ914EP, SQJ946EP, SQJ956EP, SQJ958EP, SQJ990EP, SQJA00EP