Справочник MOSFET. SQJ860EP

 

SQJ860EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ860EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQJ860EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ860EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  vishay
 sqj860ep.pdf pdf_icon

SQJ860EP

SQJ860EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization: for definitions of compliance please see 1Swww.vishay.com/doc?999122S3S4D1 GTop View Bottom ViewPRODUCT SUMMARYVDS (V) 40G

 9.1. Size:218K  vishay
 sqj868ep.pdf pdf_icon

SQJ860EP

SQJ868EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization: for definitions of compliance please see1www.vishay.com/doc?99912S2S3DS41 GTop View Bottom View GPRODUCT SUMMARYVDS (V) 40N-

Другие MOSFET... SQJ446EP , SQJ454EP , SQJ457EP , SQJ464EP , SQJ474EP , SQJ476EP , SQJ479EP , SQJ570EP , K2611 , SQJ868EP , SQJ912BEP , SQJ914EP , SQJ946EP , SQJ956EP , SQJ958EP , SQJ990EP , SQJA00EP .

History: FDMD8530

 

 
Back to Top

 


 
.