SQJA20EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQJA20EP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 68 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 22.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 17.6 nC
Tiempo de subida (tr): 4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 456 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQJA20EP
SQJA20EP Datasheet (PDF)
sqja20ep.pdf
SQJA20EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization:for definitions of compliance please see1Swww.vishay.com/doc?999122S3DS41 GTop View Bottom ViewPRODUCT SUMMARYGVDS (V) 200R
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