SQJA20EP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQJA20EP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 456 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SQJA20EP
SQJA20EP Datasheet (PDF)
sqja20ep.pdf

SQJA20EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization:for definitions of compliance please see1Swww.vishay.com/doc?999122S3DS41 GTop View Bottom ViewPRODUCT SUMMARYGVDS (V) 200R
Другие MOSFET... SQJ946EP , SQJ956EP , SQJ958EP , SQJ990EP , SQJA00EP , SQJA02EP , SQJA04EP , SQJA06EP , MMD60R360PRH , SQJA60EP , SQJA68EP , SQJA70EP , SQJA82EP , SQJA84EP , SQJA86EP , SQJA88EP , SQJA94EP .
History: 24NM60L-TF2-T | HM50N03I
History: 24NM60L-TF2-T | HM50N03I



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent