SQJA20EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJA20EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 456 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQJA20EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJA20EP даташит

 ..1. Size:298K  vishay
 sqja20ep.pdf pdf_icon

SQJA20EP

SQJA20EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested D Material categorization for definitions of compliance please see 1 S www.vishay.com/doc?99912 2 S 3 D S 4 1 G Top View Bottom View PRODUCT SUMMARY G VDS (V) 200 R

Другие IGBT... SQJ946EP, SQJ956EP, SQJ958EP, SQJ990EP, SQJA00EP, SQJA02EP, SQJA04EP, SQJA06EP, IRF9640, SQJA60EP, SQJA68EP, SQJA70EP, SQJA82EP, SQJA84EP, SQJA86EP, SQJA88EP, SQJA94EP