Справочник MOSFET. SQJA20EP

 

SQJA20EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJA20EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 17.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 456 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQJA20EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJA20EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:298K  vishay
 sqja20ep.pdf pdf_icon

SQJA20EP

SQJA20EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization:for definitions of compliance please see1Swww.vishay.com/doc?999122S3DS41 GTop View Bottom ViewPRODUCT SUMMARYGVDS (V) 200R

Другие MOSFET... SQJ946EP , SQJ956EP , SQJ958EP , SQJ990EP , SQJA00EP , SQJA02EP , SQJA04EP , SQJA06EP , AON7403 , SQJA60EP , SQJA68EP , SQJA70EP , SQJA82EP , SQJA84EP , SQJA86EP , SQJA88EP , SQJA94EP .

History: IRFBE30SPBF | 2SK3371

 

 
Back to Top

 


 
.