FDD6530A Todos los transistores

 

FDD6530A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDD6530A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 33 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 21 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.2 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.032 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252, DPAK

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FDD6530A Datasheet (PDF)

1.1. fdd6530a.pdf Size:82K _fairchild_semi

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July 2001 FDD6530A  20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed • 21 A, 20 V RDS(ON) = 32 mΩ @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 47 mΩ @ VGS = 2.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for • Low gate char

5.1. fdd6512a fdu6512a.pdf Size:68K _fairchild_semi

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November 2001 FDD6512A/FDU6512A  20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed • 36 A, 20 V RDS(ON) = 21 mΩ @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 31 mΩ @ VGS = 2.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for •

Otros transistores... FDD5670 , FDD5810_F085 , FDD5N50 , FDD5N50F , FDD5N50NZ , FDD5N50NZF , FDD5N50U , FDD5N53 , IRF3205 , FDD6630A , STT03N20 , FDD6635 , FDD6637 , FDD6637_F085 , FDD6680AS , STT03N10 , FDD6685 .

 

 
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