Справочник MOSFET. FDD6530A

 

FDD6530A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FDD6530A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO252, DPAK

Аналог (замена) для FDD6530A

 

 

FDD6530A Datasheet (PDF)

1.1. fdd6530a.pdf Size:82K _fairchild_semi

FDD6530A
FDD6530A

July 2001 FDD6530A  20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed • 21 A, 20 V RDS(ON) = 32 mΩ @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 47 mΩ @ VGS = 2.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for • Low gate char

5.1. fdd6512a fdu6512a.pdf Size:68K _fairchild_semi

FDD6530A
FDD6530A

November 2001 FDD6512A/FDU6512A  20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed • 36 A, 20 V RDS(ON) = 21 mΩ @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 31 mΩ @ VGS = 2.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for •

Другие MOSFET... FDD5670 , FDD5810_F085 , FDD5N50 , FDD5N50F , FDD5N50NZ , FDD5N50NZF , FDD5N50U , FDD5N53 , IRF3205 , FDD6630A , STT03N20 , FDD6635 , FDD6637 , FDD6637_F085 , FDD6680AS , STT03N10 , FDD6685 .

 

 
Back to Top