SQJB60EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQJB60EP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 48 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 18 nC
Tiempo de subida (tr): 3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 506 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQJB60EP
SQJB60EP Datasheet (PDF)
sqjb60ep.pdf
SQJB60EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S241 D11 G2D2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMARY
sqjb68ep.pdf
SQJB68EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see 1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S241 G21D1D2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMA
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