Справочник MOSFET. SQJB60EP

 

SQJB60EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJB60EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 506 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJB60EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  vishay
 sqjb60ep.pdf pdf_icon

SQJB60EP

SQJB60EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S241 D11 G2D2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMARY

 9.1. Size:283K  vishay
 sqjb68ep.pdf pdf_icon

SQJB60EP

SQJB68EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see 1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S241 G21D1D2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMA

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: RFP10N12 | HAT3021R | IAUC100N10S5N040 | STU601S | RU1Z120R | SQ3457EV | 12N60G-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.