SQJB60EP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQJB60EP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 506 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SQJB60EP
SQJB60EP Datasheet (PDF)
sqjb60ep.pdf

SQJB60EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S241 D11 G2D2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMARY
sqjb68ep.pdf

SQJB68EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see 1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S241 G21D1D2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMA
Другие MOSFET... SQJA84EP , SQJA86EP , SQJA88EP , SQJA94EP , SQJA96EP , SQJB00EP , SQJB40EP , SQJB42EP , IRFZ44N , SQJB68EP , SQJB70EP , SQJB80EP , SQJB90EP , SQM50028EM , SQM90142E , SQP90142E , SQS401ENW .
History: SI6913DQ | AP4578GH-HF | PPJQ5494 | P5506BVA | 2N7222U | QM3016AD | NCE01H11
History: SI6913DQ | AP4578GH-HF | PPJQ5494 | P5506BVA | 2N7222U | QM3016AD | NCE01H11



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933 | 2sa818 replacement