SQJB90EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQJB90EP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 48 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 80 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de compuerta (Qg): 14 nC
Tiempo de elevación (tr): 3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 445 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0215 Ohm
Empaquetado / Estuche: SO-8
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SQJB90EP Datasheet (PDF)
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SQJB90EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S24D1D211 G2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMARY
Otros transistores... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , IRFZ44 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .
