SQJB90EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQJB90EP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0215 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de SQJB90EP MOSFET
SQJB90EP Datasheet (PDF)
sqjb90ep.pdf

SQJB90EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S24D1D211 G2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMARY
Otros transistores... SQJA96EP , SQJB00EP , SQJB40EP , SQJB42EP , SQJB60EP , SQJB68EP , SQJB70EP , SQJB80EP , 20N60 , SQM50028EM , SQM90142E , SQP90142E , SQS401ENW , SQS481ENW , SQS482ENW , SQS484ENW , SQSA80ENW .
History: P0850AT | DMP6023LFG | FDT461N | CSD17306Q5A
History: P0850AT | DMP6023LFG | FDT461N | CSD17306Q5A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
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