SQJB90EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQJB90EP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0215 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de SQJB90EP MOSFET
SQJB90EP Datasheet (PDF)
sqjb90ep.pdf

SQJB90EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S24D1D211 G2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMARY
Otros transistores... SQJA96EP , SQJB00EP , SQJB40EP , SQJB42EP , SQJB60EP , SQJB68EP , SQJB70EP , SQJB80EP , 20N60 , SQM50028EM , SQM90142E , SQP90142E , SQS401ENW , SQS481ENW , SQS482ENW , SQS484ENW , SQSA80ENW .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sa818 | 2sa763 | a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent