SQJB90EP Todos los transistores

 

SQJB90EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQJB90EP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 48 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 80 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3.5 V

Carga de compuerta (Qg): 14 nC

Tiempo de elevación (tr): 3 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 445 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0215 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO-8

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SQJB90EP Datasheet (PDF)

..1. sqjb90ep.pdf Size:274K _vishay

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SQJB90EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S24D1D211 G2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMARY

Otros transistores... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , IRFZ44 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .

 

 
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