Справочник MOSFET. SQJB90EP

 

SQJB90EP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SQJB90EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 14 nC

Время нарастания (tr): 3 ns

Выходная емкость (Cd): 445 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0215 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQJB90EP

 

 

SQJB90EP Datasheet (PDF)

..1. sqjb90ep.pdf Size:274K _vishay

SQJB90EP
SQJB90EP

SQJB90EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S24D1D211 G2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMARY

Другие MOSFET... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , IRF3710 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .

 

 
Back to Top