SQJB90EP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQJB90EP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 14 nC
Время нарастания (tr): 3 ns
Выходная емкость (Cd): 445 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0215 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SQJB90EP Datasheet (PDF)
..1. sqjb90ep.pdf Size:274K _vishay
SQJB90EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S24D1D211 G2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMARY
Другие MOSFET... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , IRF3710 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: UTT6NP10G-S08-R | UTT6NP10L-S08-R | UTT6NP10G-TN4-R | UTT6NP10L-TN4-R | UTT4850G-S08-R | UTT4850L-S08-R | UTT30P06G-TN3-R | UTT30P06L-TN3-R | UTT30P06G-TQ2-R | UTT30P06L-TQ2-R | UTT30P06G-TQ2-T | UTT30P06L-TQ2-T | UTT30P06G-TM3-T | UTT30P06L-TM3-T | UTT30P06G-TF3-T | UTT30P06L-TF3-T