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SQM50028EM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQM50028EM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263-7

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQM50028EM

 

Principales características: SQM50028EM

 ..1. Size:165K  vishay
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SQM50028EM

SQM50028EM www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES TO-263 7-Lead TrenchFET power MOSFET Package with low thermal resistance 100 % Rg and UIS tested AEC-Q101 qualified Material categorization for definitions of compliance please see S S D D www.vishay.com/doc?99912 G G D Top View PRODUCT SUMMARY VDS (V) 6

 7.1. Size:185K  vishay
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SQM50020EL www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0020 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0025 100 % Rg and UIS tested ID (A) 120 Configuration Single Material categorization for d

 9.1. Size:169K  vishay
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SQM50P08-25L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 80 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.025 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.031 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 50 Material categorization Configuration

 9.2. Size:169K  vishay
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SQM50P06-15L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 60 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.015 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.022 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 50 Material categorization Configuration

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History: NCEP015NH30GU | SRC11N65TC | JCS22N50ABC | R6007JNX

 

 
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