SQM50028EM datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SQM50028EM 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3550 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
Тип корпуса: TO-263-7
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SQM50028EM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SQM50028EM даташит
sqm50028em.pdf
SQM50028EM www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES TO-263 7-Lead TrenchFET power MOSFET Package with low thermal resistance 100 % Rg and UIS tested AEC-Q101 qualified Material categorization for definitions of compliance please see S S D D www.vishay.com/doc?99912 G G D Top View PRODUCT SUMMARY VDS (V) 6
sqm50020el.pdf
SQM50020EL www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0020 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0025 100 % Rg and UIS tested ID (A) 120 Configuration Single Material categorization for d
sqm50p08-25l.pdf
SQM50P08-25L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 80 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.025 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.031 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 50 Material categorization Configuration
sqm50p06-15l.pdf
SQM50P06-15L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 60 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.015 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.022 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 50 Material categorization Configuration
Другие IGBT... SQJB00EP, SQJB40EP, SQJB42EP, SQJB60EP, SQJB68EP, SQJB70EP, SQJB80EP, SQJB90EP, IRF1404, SQM90142E, SQP90142E, SQS401ENW, SQS481ENW, SQS482ENW, SQS484ENW, SQSA80ENW, SUD08P06-155L-GE3
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46 | MSH60N35D | MSH40N032 | MSH30P100 | MSH100N045SA | MSD60P16 | MSD40P45 | MSB100N023 | MS60P03 | MS40P05AU | MS40P05 | MS40N05 | MS34P07 | MS34P01
Popular searches
2sa763 | a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor









