SQP90142E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQP90142E  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0153 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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SQP90142E datasheet

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SQP90142E

SQP90142E www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES TO-220AB TrenchFET power MOSFET Package with low thermal resistance AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 S S D G D Top View PRODUCT SUMMARY G VDS (V) 200 RD

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SQP90142E

SQP90P06-07L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.0067 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.0088 100 % Rg and UIS tested ID (A) -120 Material categorization Configuration Singl

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