SQP90142E Todos los transistores

 

SQP90142E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQP90142E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0153 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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SQP90142E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  vishay
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SQP90142E

SQP90142Ewww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESTO-220AB TrenchFET power MOSFET Package with low thermal resistance AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912SSDGDTop ViewPRODUCT SUMMARYGVDS (V) 200RD

 9.1. Size:143K  vishay
 sqp90p06-07l.pdf pdf_icon

SQP90142E

SQP90P06-07Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0067 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0088 100 % Rg and UIS testedID (A) -120 Material categorization:Configuration Singl

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History: VSE003N04MSC-G | SSM6K06FU | OSG65R900AF | P4004ED | LNND04R120 | 2N7002-G

 

 
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