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SQP90142E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQP90142E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 200 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 78.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3.5 V

Carga de compuerta (Qg): 55 nC

Tiempo de elevación (tr): 8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1300 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0153 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220AB

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SQP90142E Datasheet (PDF)

..1. sqp90142e.pdf Size:164K _vishay

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SQP90142Ewww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESTO-220AB TrenchFET power MOSFET Package with low thermal resistance AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912SSDGDTop ViewPRODUCT SUMMARYGVDS (V) 200RD

9.1. sqp90p06-07l.pdf Size:143K _vishay

SQP90142E SQP90142E

SQP90P06-07Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0067 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0088 100 % Rg and UIS testedID (A) -120 Material categorization:Configuration Singl

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