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SQP90142E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQP90142E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0153 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQP90142E

 

Principales características: SQP90142E

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SQP90142E

SQP90142E www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES TO-220AB TrenchFET power MOSFET Package with low thermal resistance AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 S S D G D Top View PRODUCT SUMMARY G VDS (V) 200 RD

 9.1. Size:143K  vishay
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SQP90142E

SQP90P06-07L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.0067 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.0088 100 % Rg and UIS tested ID (A) -120 Material categorization Configuration Singl

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