SQP90142E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQP90142E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 200 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 78.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de compuerta (Qg): 55 nC
Tiempo de elevación (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1300 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0153 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQP90142E
SQP90142E Datasheet (PDF)
..1. sqp90142e.pdf 
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SQP90142Ewww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESTO-220AB TrenchFET power MOSFET Package with low thermal resistance AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912SSDGDTop ViewPRODUCT SUMMARYGVDS (V) 200RD
9.1. sqp90p06-07l.pdf Size:143K _vishay
SQP90P06-07Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0067 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0088 100 % Rg and UIS testedID (A) -120 Material categorization:Configuration Singl
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