SQP90142E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SQP90142E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0153 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для SQP90142E
SQP90142E Datasheet (PDF)
sqp90142e.pdf

SQP90142Ewww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESTO-220AB TrenchFET power MOSFET Package with low thermal resistance AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912SSDGDTop ViewPRODUCT SUMMARYGVDS (V) 200RD
sqp90p06-07l.pdf

SQP90P06-07Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0067 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0088 100 % Rg and UIS testedID (A) -120 Material categorization:Configuration Singl
Другие MOSFET... SQJB42EP , SQJB60EP , SQJB68EP , SQJB70EP , SQJB80EP , SQJB90EP , SQM50028EM , SQM90142E , 50N06 , SQS401ENW , SQS481ENW , SQS482ENW , SQS484ENW , SQSA80ENW , SUD08P06-155L-GE3 , SUD80460E , SUM70060E .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0606AE | JMSL0606AC | JMSL0605PG | JMSL0605AGDQ | JMSL0605AGD | JMSL040SPG | JMSL040SMTL | JMSL040SAGQ | JMSL040SAG | JMSL0406PU | JMSL0406PK | JMSL0406PGD | JMSL0406PG | JMSL0406AUQ | JMSL0406AU | JMSL0406AP
Popular searches
2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor