SQP90142E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQP90142E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0153 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SQP90142E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQP90142E даташит

 ..1. Size:164K  vishay
 sqp90142e.pdf pdf_icon

SQP90142E

SQP90142E www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES TO-220AB TrenchFET power MOSFET Package with low thermal resistance AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 S S D G D Top View PRODUCT SUMMARY G VDS (V) 200 RD

 9.1. Size:143K  vishay
 sqp90p06-07l.pdf pdf_icon

SQP90142E

SQP90P06-07L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.0067 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.0088 100 % Rg and UIS tested ID (A) -120 Material categorization Configuration Singl

Другие IGBT... SQJB42EP, SQJB60EP, SQJB68EP, SQJB70EP, SQJB80EP, SQJB90EP, SQM50028EM, SQM90142E, 50N06, SQS401ENW, SQS481ENW, SQS482ENW, SQS484ENW, SQSA80ENW, SUD08P06-155L-GE3, SUD80460E, SUM70060E