Справочник MOSFET. SQP90142E

 

SQP90142E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SQP90142E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 78.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 55 nC

Время нарастания (tr): 8 ns

Выходная емкость (Cd): 1300 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0153 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SQP90142E

 

 

SQP90142E Datasheet (PDF)

..1. sqp90142e.pdf Size:164K _vishay

SQP90142E SQP90142E

SQP90142Ewww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESTO-220AB TrenchFET power MOSFET Package with low thermal resistance AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912SSDGDTop ViewPRODUCT SUMMARYGVDS (V) 200RD

9.1. sqp90p06-07l.pdf Size:143K _vishay

SQP90142E SQP90142E

SQP90P06-07Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0067 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0088 100 % Rg and UIS testedID (A) -120 Material categorization:Configuration Singl

Другие MOSFET... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , IRFZ44 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .

 

 
Back to Top