Справочник MOSFET. SQP90142E

 

SQP90142E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQP90142E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0153 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SQP90142E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQP90142E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  vishay
 sqp90142e.pdf pdf_icon

SQP90142E

SQP90142Ewww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESTO-220AB TrenchFET power MOSFET Package with low thermal resistance AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912SSDGDTop ViewPRODUCT SUMMARYGVDS (V) 200RD

 9.1. Size:143K  vishay
 sqp90p06-07l.pdf pdf_icon

SQP90142E

SQP90P06-07Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0067 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0088 100 % Rg and UIS testedID (A) -120 Material categorization:Configuration Singl

Другие MOSFET... SQJB42EP , SQJB60EP , SQJB68EP , SQJB70EP , SQJB80EP , SQJB90EP , SQM50028EM , SQM90142E , 50N06 , SQS401ENW , SQS481ENW , SQS482ENW , SQS484ENW , SQSA80ENW , SUD08P06-155L-GE3 , SUD80460E , SUM70060E .

History: BUZ73A | NCE80T900F | MT6JN008A | FDPF15N65YDTU | ME60P06T-G | RU2H30S | OSG95R500FF

 

 
Back to Top

 


 
.