SQS482ENW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQS482ENW
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8W
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQS482ENW
SQS482ENW Datasheet (PDF)
sqs482enw.pdf
SQS482ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W SingleD TrenchFET power MOSFETD8DD7 AEC-Q101 qualified d7DD6655 100 % Rg and UIS tested Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999121122SS33SSD44SS
sqs482en.pdf
SQS482ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0085 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.01 Material categorization:ID (A) 16For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vi
sqs484en.pdf
SQS484ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.009 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.01 Material categorization:ID (A) 16For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vis
sqs481enw.pdf
SQS481ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFETDD8DD AEC-Q101 qualified d77DD66 100 % Rg and UIS tested55 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?999121122SS33 SSS44SS1
sqs484enw.pdf
SQS484ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFETDD8DD AEC-Q101 qualified77DD66 100 % Rg and UIS tested55 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999121122SS33 DSS44SS
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Liste
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