SQS482ENW Todos los transistores

 

SQS482ENW MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQS482ENW
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8W
 

 Búsqueda de reemplazo de SQS482ENW MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

Principales características: SQS482ENW

 ..1. Size:226K  vishay
 sqs482enw.pdf pdf_icon

SQS482ENW

SQS482ENW www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8W Single D TrenchFET power MOSFET D 8 D D 7 AEC-Q101 qualified d 7 D D 6 6 5 5 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 2 2 S S 3 3 S S D 4 4 S S

 6.1. Size:560K  vishay
 sqs482en.pdf pdf_icon

SQS482ENW

SQS482EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0085 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.01 Material categorization ID (A) 16 For definitions of compliance please see Configuration Single www.vi

 9.1. Size:561K  vishay
 sqs484en.pdf pdf_icon

SQS482ENW

SQS484EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.009 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.01 Material categorization ID (A) 16 For definitions of compliance please see Configuration Single www.vis

 9.2. Size:258K  vishay
 sqs481enw.pdf pdf_icon

SQS482ENW

SQS481ENW www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFET D D 8 D D AEC-Q101 qualified d 7 7 D D 6 6 100 % Rg and UIS tested 5 5 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 2 2 S S 3 3 S S S 4 4 S S 1

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SQJB70EP , SQJB80EP , SQJB90EP , SQM50028EM , SQM90142E , SQP90142E , SQS401ENW , SQS481ENW , IRF640 , SQS484ENW , SQSA80ENW , SUD08P06-155L-GE3 , SUD80460E , SUM70060E , SUP10250E , SUP90142E , TN2404K .

 

 
Back to Top

 


 
.