SQS482ENW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SQS482ENW
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-1212-8W
Аналог (замена) для SQS482ENW
SQS482ENW Datasheet (PDF)
sqs482enw.pdf

SQS482ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W SingleD TrenchFET power MOSFETD8DD7 AEC-Q101 qualified d7DD6655 100 % Rg and UIS tested Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999121122SS33SSD44SS
sqs482en.pdf

SQS482ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0085 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.01 Material categorization:ID (A) 16For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vi
sqs484en.pdf

SQS484ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.009 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.01 Material categorization:ID (A) 16For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vis
sqs481enw.pdf

SQS481ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFETDD8DD AEC-Q101 qualified d77DD66 100 % Rg and UIS tested55 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?999121122SS33 SSS44SS1
Другие MOSFET... SQJB70EP , SQJB80EP , SQJB90EP , SQM50028EM , SQM90142E , SQP90142E , SQS401ENW , SQS481ENW , IRFP460 , SQS484ENW , SQSA80ENW , SUD08P06-155L-GE3 , SUD80460E , SUM70060E , SUP10250E , SUP90142E , TN2404K .
History: IRF630FP | 2SK2101-01MR | BSC123N08NS3G | CEP84A4 | AM5931P | IRFP9133 | RHP030N03T100
History: IRF630FP | 2SK2101-01MR | BSC123N08NS3G | CEP84A4 | AM5931P | IRFP9133 | RHP030N03T100



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor