SQS482ENW - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQS482ENW
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-1212-8W
SQS482ENW Datasheet (PDF)
sqs482enw.pdf
SQS482ENW www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8W Single D TrenchFET power MOSFET D 8 D D 7 AEC-Q101 qualified d 7 D D 6 6 5 5 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 2 2 S S 3 3 S S D 4 4 S S
sqs482en.pdf
SQS482EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0085 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.01 Material categorization ID (A) 16 For definitions of compliance please see Configuration Single www.vi
sqs484en.pdf
SQS484EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.009 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.01 Material categorization ID (A) 16 For definitions of compliance please see Configuration Single www.vis
sqs481enw.pdf
SQS481ENW www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFET D D 8 D D AEC-Q101 qualified d 7 7 D D 6 6 100 % Rg and UIS tested 5 5 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 2 2 S S 3 3 S S S 4 4 S S 1
Другие MOSFET... SQJB70EP , SQJB80EP , SQJB90EP , SQM50028EM , SQM90142E , SQP90142E , SQS401ENW , SQS481ENW , IRF640 , SQS484ENW , SQSA80ENW , SUD08P06-155L-GE3 , SUD80460E , SUM70060E , SUP10250E , SUP90142E , TN2404K .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor






